gallium arsenide(砷化镓,GaAs):一种由镓和砷组成的化合物半导体材料,常用于高速电子器件、微波/射频器件以及光电器件(如激光二极管、LED、太阳能电池等)。相比硅,它通常具有更高的电子迁移率和更适合某些光电应用的特性。
/ˈɡæliəm ɑːrˈsɛnaɪd/
Gallium arsenide is widely used in high-frequency electronics.
砷化镓广泛用于高频电子设备中。
Because gallium arsenide can operate efficiently at microwave frequencies, it is often chosen for satellite communication components.
由于砷化镓能在微波频段高效工作,它常被用于卫星通信组件。
Gallium 来自元素名 gallium(镓),其名称与拉丁语 Gallia(高卢/法国)相关;arsenide 来自 arsenic(砷) 加上化学后缀 -ide(表示“某元素的化合物/阴离子形式”),合起来表示“砷的化合物:砷化物”,因此 gallium arsenide 即“镓的砷化物”。